HBM2E belleklerin geliştirme süreci tamamlandı

Samsung’un geçtiğimiz GTC etkinliğinde görücüye çıkardığı HB2E bellek kümelerinde geliştirme sürecinde bugün sona gelindi. Yeni birimler daha yüksek kapasitede daha yüksek bant genişliği sunuyor.

Flashbolt kod adını taşıyan yeni nesilde kapasite kanadında dikey eksende 8 adet 16 Gb bellek katmanının kümelenmesiyle 16 GB kapasite sunulmuş. Her Flashbolt paketinde 1024 bit veri yolu üzerinden sağlanan 3.2 Gbps’lik hız sayesinde bant genişliği 410 GB/s’ye ulaşıyor.

İlginizi Çekebilir SK Hynix tek kümede 460 GB/s hıza ulaşan HBM2E belleğini duyurdu

4.2 Gbps’e ulaşan hızlar

Bu da Aquabolt’taki 8 GB bellek kapasitesinin 2 katına ve 307 GB/s’lik bant genişliğinin üzerine %33’lük gelişmeye tekabül ediyor.Hatta 4.2 Gbps’e çekilebilen birimler bu düzeyde 538 GB/s aktarım hızına ulaşarak Aquabolt’a göre %75 fazlasını GPU’ya sağlayabiliyor. Bilindiği üzere SK Hynix’in yine 8 katmandan oluşan ve aynı kapasite sunan kümeleri 3.6 Gbps hızında görev yapacak.

Şu an için firma tarafından bellek katmanlarında yer alan 5600×8 TSV kanalı üzerinden sağlanan sinyalde meydana gelebilecek gürültünün önüne nasıl geçildiğinin açıklanmadığını da ekleyelim.

10 nm üretim sürecinden geçen bellek zarlarından mütevellit HBM2E birimlerinin HPC, AI/ML ve grafik alanlarında kendine kullanım bulması bekleniyor. Örneğin 4 kümenin bir araya getirildiği bir tasarımda 4096 bit’lik veri yolu üzerinden 1.64 TB/s bant genişliğine ve 64 GB alana ulaşmak mümkün.

Dolayısıyla yeni HBM çözümleri hem yüksek kapasiteye hem de yüksek performansa ihtiyaç duyulan uygulama alanları için oldukça faydalı olacaktır. Son olarak Samsung’un içinde bulunduğumuz yarı yıl içerisinde Flashbolt kümelerinin hacimli üretimine başlarken Aquabolt birimlerinin üretimine de devam edecek.

Bu haberi, mobil uygulamamızı kullanarak indirip,
istediğiniz zaman (çevrim dışı bile) okuyabilirsiniz:

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir